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       一家存儲IC設計廠商在昨（7）日法說會上表示，因近期半導體晶圓代工、封測的成本上漲，且需求增加，已經(jīng)調(diào)漲部分利基型DRAM與NOR Flash報價，和合約客戶方面報價則將從明年第一季起調(diào)漲...

       據(jù)臺媒報道，昨（7）日，利基型DRAM和NOR Flash設計大廠——晶豪科（ESMT）在法說會上證實，已將部分利基型DRAM和NOR Flash價格調(diào)漲，預估明年可望進一步上調(diào)。

       針對近期產(chǎn)業(yè)鏈漲價議題，晶豪科表示，受惠于宅經(jīng)濟效應，目前第4季的訂單需求仍佳。自9月下旬起，晶圓代工產(chǎn)能供不應求，近來晶圓代工與封測成本增加，價格也會相對應調(diào)整，現(xiàn)有部分利基型DRAM 產(chǎn)品現(xiàn)貨價格已調(diào)漲，合約價方面則將從明年第一季起調(diào)漲。并表示，若產(chǎn)能吃緊情況短期內(nèi)無解，不排除在明年第一、二季調(diào)漲價格的可能。

       除利基型DRAM外，晶豪科指出，近來受惠藍牙耳機等應用帶動，NOR Flash市況也很好，價格正向看待，明年也可望進一步漲價。

       就當前市況，晶豪科表示：“只要邏輯IC在市場大熱，specialty就會跟著熱。因為除了邏輯IC外，所有電子產(chǎn)品都需要搭配存儲使用，只是容量或者其他方面要求不同。加上供應商數(shù)量減少，先前一些存儲廠陸續(xù)將產(chǎn)線轉作圖像傳感器生產(chǎn)或代工，致使供給端產(chǎn)能減少；另外，specialty終端應用需求逐漸回溫，下游經(jīng)銷商與終端客戶也積極備庫存”，是10、11 月超乎預期的主要原因。

       在韓系SK海力士和三星逐漸減產(chǎn)并淡出后，臺系廠商華邦（Winbond）、晶豪科（ESMT）、鈺創(chuàng)（Etron）成為specialty DRAM 領域的主要玩家。公開資料顯示，晶豪科技股份有限公司 (ESMT) 是IC設計公司，

       據(jù)摩根士丹利證券在近期報告中提及，因供需吃緊，預計利基型DRAM（DDR3 1Gb、2Gb）單位售價11月起漲10％。該機構產(chǎn)業(yè)分析師顏志天則修改對此類價格預測為上揚，從原先預估的2021年第1、2季價格小幅衰退同步轉為季增2～5％。另外，TrendForce也在月初最新報告稱，主流specialty DRAM價格在11月有上漲的跡象，分析是需求增加疊加供應商減少所致，還指出此次情況區(qū)別于以往，預計最先上漲的是小容量、小客戶的利基型存儲。

       “不過，雖然近期需求上揚，但未出現(xiàn)明顯供給告急壓力，目前利基性DRAM市況優(yōu)于NOR。”據(jù)了解，晶豪科與力積電為長期供應伙伴，投片訂單全數(shù)落在力積電。

       針對中芯國際遭到美國禁制令恐影響對兆易創(chuàng)新的供貨一事，晶豪科認為，當前兆易創(chuàng)新正尋求其他產(chǎn)能支援，會遇到成本墊高的問題，“對我們是機會”。